Модули IGBT ONSEMI NXH450B100H4Q2F2SG
IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH450B100H4Q2F2SG
- Order Code3929813
28 275 руб.
28 275 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
28 275 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
28 275 ₽
5+
27 745 ₽
10+
27 211 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Dual, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module — компонент от ONSEMI (арт. NXH450B100H4Q2F2SG) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Dual; ток коллектора: 101A; DC Collector Current: 101A; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.7V; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 234W; рассеиваемая мощность: 234W; макс. рабочая температура: 175°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current101A
- DC Collector Current101A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
- Power Dissipation Pd234W
- Power Dissipation234W
- Operating Temperature Max175°C
- Junction Temperature Tj Max175°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationSolder
- Collector Emitter Voltage Max1kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
- IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
- Transistor MountingPanel
- Product RangeEliteSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)