UJ4SC075005L8S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) QORVO

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) QORVO UJ4SC075005L8S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    QORVO
  • Manufacturer Part NoUJ4SC075005L8S
  • Order Code4221985

11 010 руб.

11 010 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 010 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 010 ₽

5+

10 643 ₽

10+

10 278 ₽

50+

10 276 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id120A
  • Drain Source Voltage Vds750V
  • Drain Source On State Resistance0.0054ohm
  • Transistor Case StyleMO-299
  • No. of Pins8Pins
  • Rds(on) Test Voltage12V
  • Gate Source Threshold Voltage Max6V
  • Power Dissipation1.153kW
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299