NXP, MRF6V2300NBR1

RF FET Transistor, 100 V, 150 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-272

RF FET Transistor, 100 V, 150 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-272

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRF6V2300NBR1
  • Order Code1839849

15 476 руб.

15 476 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 15 476 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

15 476 ₽

10+

12 725 ₽

100+

10 047 ₽

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:150mA; Power Dissipation Pd:300W; Operating Frequency Min:10MHz; Operating Frequency Max:600MHz; RF Transistor Case:TO-272;

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds100V
  • Continuous Drain Current Id150mA
  • Power Dissipation300W
  • Operating Frequency Min10MHz
  • Operating Frequency Max600MHz
  • Transistor Case StyleTO-272
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 100 V, 150 mA, 300 W, 10 MHz, 600 MHz, TO-272