NXP, MRFX1K80HR5

RF FET Transistor, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

RF FET Transistor, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRFX1K80HR5
  • Order Code2784044

33 494 руб.

33 494 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 33 494 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

33 494 

5+

30 111 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:193V; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:2.247kW; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:400MHz; RF Transistor Case:NI-1

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds193V
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation2.247kW
  • Operating Frequency Min1.8MHz
  • Operating Frequency Max400MHz
  • Transistor Case StyleNI-1230H-4S
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S