STMICROELECTRONICS, PD57060-E

RF FET Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

RF FET Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerSTMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoPD57060-E
  • Order Code3129596

7 421 руб.

7 421 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 421 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 421 

5+

7 197 

10+

6 973 

50+

6 962 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:7A; Power Dissipation Pd:79W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:1GHz; RF Transistor Case:PowerSO-10RF; No. o

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds65V
  • Continuous Drain Current Id7A
  • Power Dissipation79W
  • Operating Frequency Min-
  • Operating Frequency Max1GHz
  • Transistor Case StylePowerSO-10RF
  • No. of Pins-
  • Operating Temperature Max165°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingSurface Mount
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF