NXP, AFT31150NR5

RF FET Transistor, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780

RF FET Transistor, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoAFT31150NR5
  • Order Code2805100

27 684 руб.

27 684 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 27 684 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

27 684 

5+

25 387 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:65VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:741W; Operating Frequency Min:2.7GHz; Operating Frequency Max:3.1GHz; RF Transistor Case:OM-780;

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds65VDC
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation741W
  • Operating Frequency Min2.7GHz
  • Operating Frequency Max3.1GHz
  • Transistor Case StyleOM-780
  • No. of Pins2Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

RF FET Transistor, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780