BSM250D17P2E004 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM250D17P2E004 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ROHM
  • Manufacturer Part NoBSM250D17P2E004
  • Order Code3573222

104 639 руб.

104 639 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 104 639 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

104 639 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id250A
  • Drain Source Voltage Vds1.7kV
  • Drain Source On State Resistance-
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage-
  • Gate Source Threshold Voltage Max4V
  • Power Dissipation1.8kW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCLead (23-Jan-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module