BSM600D12P3G001 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerROHM
- Manufacturer Part NoBSM600D12P3G001
- Order Code3573233
362 187 руб.
362 187 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 362 187 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
362 187 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id600A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance-
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins-
- Rds(on) Test Voltage-
- Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
- Power Dissipation2.45kW
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCLead (23-Jan-2024)