SCT3022KLHRC11 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoSCT3022KLHRC11
Order Code3052186

12 500 руб.

12 500 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 500 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

12 500 ₽

12 498 ₽

10+

12 495 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:95A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vg

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation427W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)

SCT3022KLHRC11 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 134 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 3.3 kV, 0.084 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, ACEPACK Series, SixPack, N Channel, 485 A, 750 V, 0.00205 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 750 V, 5.4 mohm, MO-299

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 290 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 375 A, 2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module