ONSEMI, NTBG014N120M3P

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNTBG014N120M3P
  • Order Code4143092

7 537 руб.

7 537 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 537 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 537 ₽

5+

6 595 ₽

10+

5 465 ₽

50+

4 899 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id104A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.014ohm
  • Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
  • No. of Pins7Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.63V
  • Power Dissipation227W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCLead (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)