ONSEMI, NXH003P120M3F2PTHG

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH003P120M3F2PTHG
  • Order Code4305078

28 160 руб.

28 160 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 28 160 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

28 160 ₽

5+

26 470 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id350A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.005ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation979W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module