NXH003P120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ONSEMI NXH003P120M3F2PTHG фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH003P120M3F2PTHG
  • Order Code4305078

27 546 руб.

27 546 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 27 546 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

27 546 ₽

5+

25 893 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id350A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.005ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation979W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module