CAS300M12BM2 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 404 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
WOLFSPEED
Manufacturer Part NoCAS300M12BM2
Order Code2630834

130 148 руб.

130 148 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 130 148 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

130 148 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:404A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.3V;

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id404A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation1.66kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

CAS300M12BM2 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) WOLFSPEED

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 404 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 180 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 245 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module