FF11MR12W1M1B70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON FF11MR12W1M1B70BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF11MR12W1M1B70BPSA1
  • Order Code3755139

17 732 руб.

17 732 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 17 732 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

17 732 ₽

Техническая спецификация

  • Continuous Drain Current Id100A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0113ohm
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeCoolSiC Trench Series

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module