UF3SC120016K4S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) QORVO

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) QORVO UF3SC120016K4S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    QORVO
  • Manufacturer Part NoUF3SC120016K4S
  • Order Code4014253

10 578 руб.

10 578 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 10 578 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

10 578 

5+

9 521 

10+

8 645 

50+

7 790 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id107A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.016ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage12V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
  • Power Dissipation517W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB