G2R120MT33J mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) GENESIC SEMICONDUCTOR

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) GENESIC SEMICONDUCTOR G2R120MT33J фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    GENESIC SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoG2R120MT33J
  • Order Code3598634

22 247 руб.

22 247 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 22 247 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

22 247 ₽

5+

22 244 ₽

10+

22 242 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id35A
  • Drain Source Voltage Vds3.3kV
  • Drain Source On State Resistance0.12ohm
  • Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
  • No. of Pins7Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation402W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeG2R
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)