Модули IGBT STARPOWER GD200HFU120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD200HFU120C2S
- Order Code3549237
18 138 руб.
18 138 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
18 138 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
18 138 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 262 A, 3 V, 1.315 kW, 125 °C, Module — профессиональный разъём от STARPOWER (арт. GD200HFU120C2S) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- DC Collector Current262A
- Continuous Collector Current262A
- Collector Emitter Saturation Voltage3V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
- Power Dissipation Pd1.315kW
- Power Dissipation1.315kW
- Junction Temperature Tj Max125°C
- Operating Temperature Max125°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)