GD400HFY120C2S модули igbt STARPOWER

IGBT Module, Half Bridge, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
STARPOWER
Manufacturer Part NoGD400HFY120C2S
Order Code2986064

23 789 руб.

23 789 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 23 789 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

23 789 ₽

22 971 ₽

10+

21 210 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:630A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:2.083kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1

Техническая спецификация

IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current630A
DC Collector Current630A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation Pd2.083kW
Power Dissipation2.083kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C

Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised

GD400HFY120C2S модули igbt STARPOWER

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

IGBT Module, Half Bridge, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 280 A, 1.75 V, 1 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 157 A, 1.7 V, 512 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Half Bridge, 168 A, 1.85 V, 632 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module

IGBT Module, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Module

IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module

IGBT Module, Dual [Half Bridge], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Twelve Pack, 30 A, 1.5 V, 135 W, 175 °C, Module

IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 150 °C, Module

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins

IGBT Module, Dual, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 25 A, 1.7 V, 105 W, 125 °C, Module

IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 15 A, 3.2 V, 80 W, 125 °C, EconoPACK

IGBT Module, Half Bridge, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module

IGBT Module, Dual, 404 A, 2 V, 1.45 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Single, 250 A, 3 V, 4.8 kW, 125 °C, Module

IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module

IGBT Module, Single Chopper, 300 A, 1.95 V, 150 °C, Module