Модули IGBT STARPOWER GD650HFX170P1S
IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerSTARPOWER
- Manufacturer Part NoGD650HFX170P1S
- Order Code3549271
63 706 руб.
63 706 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
63 706 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
63 706 ₽
Обзор продукта
IGBT Module, Half Bridge, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module — компонент от STARPOWER (арт. GD650HFX170P1S) для профессионального применения в промышленных и специализированных системах. Категория: Модули IGBT. Области применения: промышленная автоматика, приборостроение, специализированное оборудование. Технические характеристики: IGBT Configuration: Half Bridge; ток коллектора: 1.073kA; DC Collector Current: 1.073kA; Collector Emitter Saturation Voltage: 1.9V; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.9V; Power Dissipation Pd: 4.2kW; рассеиваемая мощность: 4.2kW; макс. рабочая температура: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationHalf Bridge
- Continuous Collector Current1.073kA
- DC Collector Current1.073kA
- Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
- Power Dissipation Pd4.2kW
- Power Dissipation4.2kW
- Operating Temperature Max150°C
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Transistor Case StyleModule
- IGBT TerminationStud
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
- Collector Emitter Voltage Max1.7kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised