MD300HFC170C2S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STARPOWER

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STARPOWER MD300HFC170C2S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STARPOWER
  • Manufacturer Part NoMD300HFC170C2S
  • Order Code3549206

212 073 руб.

212 073 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 212 073 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

212 073 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id484A
  • Drain Source Voltage Vds1.7kV
  • Drain Source On State Resistance0.00333ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins11Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCTo Be Advised

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB