ADP280120W3 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) STMICROELECTRONICS

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 275 A, 1.2 kV, 0.00505 ohm, ACEPACK DRIVE

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) STMICROELECTRONICS ADP280120W3 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoADP280120W3
  • Order Code4558117

208 690 руб.

208 690 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 208 690 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

208 690 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSixPack
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id275A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00505ohm
  • Transistor Case StyleACEPACK DRIVE
  • No. of Pins30Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation549W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 275 A, 1.2 kV, 0.00505 ohm, ACEPACK DRIVE
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB