SI4500BDY-T1-E3 двойные mosfet-транзисторы VISHAY

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.016 ohm

Двойные MOSFET-транзисторы VISHAY SI4500BDY-T1-E3 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    VISHAY
  • Manufacturer Part NoSI4500BDY-T1-E3
  • Order Code1562474

227 983 руб.

227 983 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 227 983 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

227 983 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:9.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power

Техническая спецификация

  • Channel TypeComplementary N and P Channel
  • Drain Source Voltage Vds N Channel20V
  • Drain Source Voltage Vds P Channel20V
  • Continuous Drain Current Id N Channel9.1A
  • Continuous Drain Current Id P Channel9.1A
  • Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
  • Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
  • Transistor Case StyleSOIC
  • No. of Pins8Pins
  • Power Dissipation N Channel2.5W
  • Power Dissipation P Channel1.3W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • Qualification-
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)

Оставить запрос

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.016 ohm
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB