NXH010P120MNF1PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, Dual N Channel, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH010P120MNF1PTG
- Order Code3973630
37 214 руб.
37 214 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 37 214 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
37 214 ₽
5+
35 333 ₽
10+
33 452 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id114A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0105ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins18Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
- Power Dissipation250W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)