FF23MR12W1M1B11BOMA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
INFINEON
Manufacturer Part NoFF23MR12W1M1B11BOMA1
Order Code2771413

22 502 руб.

22 502 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 22 502 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

22 502 ₽

20 904 ₽

10+

19 307 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Pow

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.023ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSic
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

FF23MR12W1M1B11BOMA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Module

MOSFET MODULE, SIC, 900V, 149A

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 395 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, ACEPACK 1

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, N Channel, 310 A, 1.2 kV, 0.00254 mohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module