INFINEON, FF23MR12W1M1B11BOMA1

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF23MR12W1M1B11BOMA1
  • Order Code2771413

14 465 руб.

14 465 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 465 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 465 

5+

13 438 

10+

12 411 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Pow

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id50A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.023ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage-
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeCoolSic
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, Module