ONSEMI, NXH020P120MNF1PTG

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH020P120MNF1PTG
  • Order Code3973632

16 857 руб.

16 857 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 16 857 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

16 857 ₽

5+

15 769 ₽

10+

14 680 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id51A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.02ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
  • Power Dissipation119W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Module