F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON

Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Dual N Channel, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) INFINEON F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
  • Order Code3994943

13 761 руб.

13 761 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 761 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

13 761 ₽

5+

13 759 ₽

10+

13 757 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id100A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0081ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins32Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max125°C
  • Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Dual N Channel, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm, Module