FF6MR12W2M1HB11BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 145 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF6MR12W2M1HB11BPSA1
- Order Code4313260
39 722 руб.
39 722 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 39 722 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
39 722 ₽
5+
34 758 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id145A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0054ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins36Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)