BSM120D12P2C005 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Silicon Carbide Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoBSM120D12P2C005
Order Code2345472

73 532 руб.

73 532 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 73 532 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

73 532 ₽

73 527 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):-; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Dis

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins10Pins

Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)

BSM120D12P2C005 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 375 A, 1.2 kV, 0.00283 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 291 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 500 A, 3.3 kV, 0.0048 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 350 A, 1.2 kV, 0.00196 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module