BSM300D12P4G101 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 291 A, 1.2 kV, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerROHM
- Manufacturer Part NoBSM300D12P4G101
- Order Code4168758
152 348 руб.
152 348 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 152 348 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
152 348 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id291A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance-
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins11Pins
- Rds(on) Test Voltage-
- Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
- Power Dissipation925W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCTo Be Advised