FF55MR12W1M1HB70BPSA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF55MR12W1M1HB70BPSA1
- Order Code4313257
18 644 руб.
18 644 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 18 644 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
18 644 ₽
5+
16 315 ₽
10+
13 517 ₽
50+
12 119 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id15A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0529ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins10Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
- Power Dissipation20mW
- Operating Temperature Max150°C
- Product RangeEasyDUAL 1B CoolSiC Series
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)