BSM180D12P3C007 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 180 A, 1.2 kV, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerROHM
- Manufacturer Part NoBSM180D12P3C007
- Order Code3573221
114 950 руб.
114 950 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 114 950 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
114 950 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id180A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance-
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins-
- Rds(on) Test Voltage-
- Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
- Power Dissipation880W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCLead (23-Jan-2024)